5 月 16 日消息,据 TechPowerUp 消息,西部数据与铠侠协作,将在本年量产第六代 BiCS NAND,该产品采用了 162 层 NAND 闪存堆叠技能。
据介绍,西部数据与铠侠的 162 层 NAND 闪存将到达竞争对手 176 层的容量,而且芯片尺寸更小,单晶圆可达 100TB,比上一代的单晶圆 70TB 大幅增加。
西部数据与铠侠还发布了未来的路线图,2024 年的 BiCS+ 的层数超过 200 层,如果全部按计划进行,2032 年应该会看到 500 层 NAND 闪存。
报导称,2020 年,西部数据公司和铠侠公司发布了第五代 BiCS 3D NAND,BiCS5 的规划使用了 112 层规划,密度比较上代增加了 40%。接口速度提高了 50%,到达 1.2GT / s。第六代 BiCS NAND 的参数信息估计会在本年晚些时候量产时发布。