9 月 27 日音讯,存储制造商在经历了有史以来最长的下降周期之后,终于看到了 DRAM 市场复苏的期望。根据集邦咨询报导,伴随着首要存储制造商的持续减产,已经市场去库存作用闪现,预估 NAND Flash 价格回暖之后,DRAM 价格也会上涨。
NAND 闪存供应商为减少亏本,2023 年以来已经进行了多次减产,目前相关作用已经闪现,音讯称 8 月 NAND Flash 芯片合约价格呈现反弹,9 月持续上涨。
职业巨头三星持续减产,首要集中在 128 层以下产品中,在 9 月产量下降了 50%,促使其他制造商仿效。
市场专家还猜测,NAND 闪存价格将在第 4 季度持续上涨。集邦咨询对第 4 季度 NAND 闪存价格持乐观态度,估量增加约 3% 至 8%,高于最初猜测的 0% 至 5%。
援引集邦咨询观念,DRAM 的复苏要稍微晚一些,预估将于本年第 4 季度开端上涨,标志着新一轮增加周期的开端。
业内专家指出,DRAM 价格上涨不仅是因为减产和库存清仓等因素,还与人工智能市场有关。由 AI 应用驱动的数据中心市场对 DDR5 的需求有限,导致价格前期飙升。
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