5 月 13 日消息，美光公司周四发布了业界首个具有 232 层的 3D NAND 闪存，该公司计划将其新的 232 层 3D NAND 产品用于各种产品，包括固态硬盘，并计划在 2022 年末左右开端量产此类芯片。
图片来历：美光
了解到，美光的 232 层 3D NAND 闪存选用 3D TLC 架构，原始容量为 1Tb（128GB）。该芯片根据美光的 CuA 架构，并运用 NAND 字符串堆叠技能，在彼此的顶部树立两个 3D NAND 阵列。
CuA 规划加上 232 层 NAND，将大大削减美光 1Tb 3D TLC NAND 闪存的芯片尺寸，这有望降低出产成本，使美光能够对选用这些芯片的设备进行更有竞争力的定价，或者添加其利润率。
美光没有宣布其新的 232L 3D TLC NAND IC 的 I / O 速度或平面数量，但暗示与现有的 3D NAND 设备比较，新的内存将供给更高的功能，这对选用 PCIe 5.0 接口的下一代 SSD 特别有用。
谈到固态硬盘，美光的技能和产品履行副总裁 Scott DeBoer 指出，该公司现已与内部和第三方 NAND 控制器（用于固态硬盘和其他根据 NAND 的存储设备）的开发者密切合作，以完成对新式内存的支持。
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在其 232 层 3D TLC NAND 的其他优势中，美光还提到与上一代节点比较功耗更低。
考虑到美光将在 2022 年年末开端出产 232 层 3D TLC NAND 设备，估计选用新内存的固态硬盘将在 2023 年左右到来。
