12 月 24 日消息，今天，小米发布了自研的第三款芯片汹涌 P1。雷军称，小米 12 Pro 搭载汹涌 P1 充电芯片，职业初次实现“120W 单电芯”充电技能。
小米现已发布汹涌 P1 的具体介绍，官方称汹涌 P1 填补了 120W 单电芯快充职业空白。
小米表明，过去的单电芯快充系统中，要把输入手机的 20V 电压转化成可以充入电池的 5V 电压，需求 5 个不同种电荷泵的串并联电路。很多的电荷泵和整体串联的架构会带来很大的发热量，实际使用中彻底无法做到长时间满功率运转，更难以做到 120W 高功率快充。
驱动小米 120W 汹涌秒充的中心是两颗小米自研智能充电芯片：汹涌 P1。它们接管了传统的 5 电荷泵杂乱结构，将输入手机的高压电能，更高效地转化为可以直充电池的大电流。
小米表明，汹涌 P1 作为业界首个谐振充电芯片，具有自适应开关频率的 4:1 超高功率架构，谐振拓扑功率高达 97.5%，非谐振拓扑功率为 96.8%，热损耗直线下降 30% 。
汹涌 P1 本身承担了很多的转化作业：传统电荷泵只需求两种作业形式（变压、直通），而汹涌 P1 需求支撑 1:1、2:1 和 4:1 转化形式，而且所有的形式都需求支撑双导游通，这意味着总共需求 15 种排列组合的形式切换控制 —— 是传统电荷泵的 7 倍。正向 1:1 形式让亮屏充电功率更高，正向 2:1 形式可兼容更多充电器，正向 4:1 可支撑 120W 汹涌秒充，反向 1:2/1:4 形式可支撑高功率反向充电。
小米称，汹涌 P1 也是小米充电功率最高的 4:1 充电芯片，可做到 0.83W / mm² 超高功率密度，LDMOS 也达到业界领先超低 1.18mΩmm² RSP。而汹涌 P1 芯片内部需求用到三种不同耐压的 FLY 电容，每颗电容需求独立的开短路保护电路，而每种作业形式又需求严格控制预充电压，功率管数量挨近传统电荷泵的两倍。而且因为拓扑规划和功能杂乱度的提升，每片汹涌 P1 在出厂时都需求通过 2500 多项测试，远高于传统电荷泵。
据了解，即将在 12 月 28 日发布的小米 12 Pro 是第一款搭载汹涌 P1 的智能手机，它支撑有线 120W 汹涌秒充、50W 无线秒充和 10W 无线反向充电。小米表明，小米 12 Pro 的 120W 汹涌秒充技能具有两挡形式：低温形式，“温度仅 37℃，体温般舒适”；快速形式，“一杯咖啡的时间快速满电”。
