据科技日报报导，南京大学王欣然教授团队与东南大学王金兰教授团队协作，完结厘米级均匀的双层二硫化钼薄膜可控外延生长，该成果近来发表于世界学术期刊《自然》。
论文一同第一作者、东南大学教授马亮说：“这份研讨不仅打破了大面积均匀双层二硫化钼的层数可控外延生长技术瓶颈，研发了最高功用的二硫化钼晶体管器件，并且双层二硫化钼层数可控成核新机制有望进一步拓宽至其他二维材料系统的外延生长，为后硅基半导体电子器件的代替材料供给了一种新的方向和选择。”
针对二硫化钼的层数可控外延生长这项极具挑战性的前沿难题，研讨团队提出衬底诱导的双层成核以及“齐头并进”的全新生长机制。论文一同通讯作者、南京大学教授王欣然介绍，团队在世界上初次完结大面积均匀的双层二硫化钼薄膜外延生长。
王欣然标明，研讨团队运用高温退火工艺，在蓝宝石表面上获得均匀分布的高原子台阶，成功获得了逾越 99% 的双层形核，并完结了厘米级的双层连续薄膜。
随后，团队制作双层二硫化钼沟道的场效应晶体管器件阵列。电学功用评价标明，双层二硫化钼器件的迁移率比较于单层二硫化钼提高了 37.9%，器件均一性也得到了大幅度提高；开态电流高达 1.27 毫安 / 微米，改写了二维半导体器件的最高纪录。
