5 月 13 日音讯，西部数据在 5 月 10 日的发布会中不只发布了一系列新品，还透露了其 3D 闪存路线图。
西数称，他们的下一代的 BiCS6 为 162 层 3D NAND，而西数刚发布的旗舰固态 SN850X 运用的则是 2020 年出产的 BiCS5 112 层 3D NAND 。
BiCS6 将带来更快的 I / O 接口和更快的颗粒带宽，并且其 QLC 版别拥有比 TLC 版别更小的芯片面积和更高的存储密度，并且尽管西数的 BiCS6 QLC 颗粒的堆叠层数比美光和 SK 海力士的 176 层 QLC 闪存要低一些，但存储密度却超越了它们。
QLC 颗粒自它诞生的那天起就被网友们冠上“垃圾”的名头，原因就是它不只写入寿命短，缓外写入速度还低的离谱。当消费者们看到 QLC 硬盘的产品宣扬页面写着 2000MB/s的写入速度就兴冲冲的将其买回家时，他们还不知道这些硬盘的缓外写入速度实践上只有可怜的几十 MB 每秒，甚至不如机械硬盘。
缓外写入速度即为数据直接在贮存颗粒上的写入速度，厂家一般会经过添加 SLC 缓存、虚拟缓存、DRAM 缓存等手法来推迟这种状况的出现。然而这些缓存的容量一般都远小于硬盘的实践容量，关于平价的 QLC 固态来说更是如此。
而西数优化了其 QLC 颗粒的写入速度，BiCS6 的 QLC 版别写入速度达到了 60MB/s，是英特尔 144 层 QLC 的 1.5 倍，是自家 96 层 BiCS4 QLC 的 6 倍还多。尽管该速度仍是比 BiCS6 的 TLC 版别慢了 60%。
采用 BiCS6 3D NAND 的 TLC 以及 QLC 固态硬盘将会在 2022 年末出产，并且其幻灯片上还提到了 PLC 颗粒（QLC 的下一代），但官方并未公布其更多信息。
据了解，西数还称将为企业用户开发 200 多层的 BiCS + 闪存以满足数据中心对高容量和高功能的需求，与 BiCS6 相比，BiCS + 在贮存密度将增长 55%，且其传输速度进步 60%，写入速度也会进步 15%。
除此之外西数还公开了一些正在研发中的技能，比如经过粘合多个晶圆并运用其他先进技能制作具有 500 多层的 3D NAND，经过路线图得知该技能有望在 2032 年到来。
