此前路透社援引知情人士的话报道称，韩国企业 SK 海力士无锡工厂的升级改造计划遇阻，仅仅是因为阿斯麦的极紫外光刻机无法获批进入中国大陆，虽然 SK 海力士十分希望通过该设备提高存储芯片的生产效率。
据多个外媒报道，SK 海力士 CEO 李锡熙（Seok-hee Lee）对此进行了回应，并就无锡海力士半导体工厂的相关情况进行了沟通。
22 日上午，李锡熙社长在首尔三成洞 COEX 举办的‘第 14 届半导体日’活动上会见记者时表示：“我们可以通过合作很好地应对。”
他认为，SK 海力士有足够的时间将 EUV 设备进口到中国。李锡熙对于引进受限一事表示：正与美方合作，目前进展良好。EUV 光刻技术已经在韩国本土的 DRAM 产线上应用，中国工厂还有充足的时间供斡旋沟通。
当被问及此时是否会影响无锡工厂正常工作时，他表示，“1a DRAM 已于 7 月在总部开始量产”“中国工厂还有很多时间”。
IT之家了解到，SK 海力士在无锡工厂引进的光刻机将用于制造 10nm DRAM 芯片，也就是第四代内存。SK 海力士已经在京畿道利川和无锡的工厂生产此类 DRAM。从去年 7 月开始，SK 海力士还量产了全球首次应用 EUV 的 10nm 级第 4 代（1a）DRAM。
根据此前 TrendForee 统计数据，无锡工厂对全球电子行业至关重要，其生产了 SK 海力士约半数的动态随机存储器芯片（DRAM），占全球总量的 15%。另一家市场分析公司 IDC 称，仅 2021 年，全球内存市场的需求就将增长 19%。
