研究显示,随着电动汽车渗透率不断升高,整车架构朝着 800V 方向迈进,因此预估 2025 年全球电动车市场对 6 英寸 SiC 碳化硅晶圆的需求可达 169 万片。
800V 电气架构的革新将促使耐高压 SiC 功率器件全面替代 Si IGBT,进而成为主驱逆变器标配,因此 SiC 深受车企追捧。Tier1 厂商 Delphi 已率先实现 800V SiC 逆变器量产,BorgWarner、ZF、Vitesco 相继跟进。目前来看,车载充电器和 DC-DC 转换器组件对 SiC 器件的应用已经相对成熟,而基于 SiC 的主驱逆变器仍未进入大规模量产阶段。
IT之家获悉,由于上游 SiC 衬底材料环节制程复杂,技术门槛高,晶体生长缓慢,因此现阶段用于功率器件的 N 型 SiC 衬底仍以 6 英寸为主,8 英寸很少。