韩研究所:韩国 DRAM 技术领先中国 5 年,NAND 闪存领先 2 年

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2022-06-01 电脑百科网

6 月 1 日音讯,据 BusinessKorea 报道,韩国进出口银行海外经济研究所(OERI)估量,韩国在 DRAM 技能方面比我国抢先 5 年,NAND 闪存方面抢先 2 年。

该研究组织在 5 月 30 日表示,本年我国的 DRAM 制造商长鑫存储正在推动第二代 10nm 级(1y 或 16 纳米至 17 纳米)DRAM 的大规模出产。另一方面,三星电子和 SK 海力士正方案在本年年底或下一年大规模出产第五代 10nm 级(1b 或 12 纳米至 13 纳米)DRAM。考虑到每一代的技能距离约为两年到两年半,两国的技能距离超越五年。

特别是,三星和 SK 海力士现已引入了用于超微制造工艺的极紫外光(EUV)设备,或正方案引入,但由于我国公司很难引入 EUV 设备,为此许多专家表示,我国要缩小与韩国的技能距离并不简单。

我国芯片制造商的良率也很低。OERI 剖析说,2019 年开端批量出产第一代 10nm 级(1x 或 18 纳米至 19 纳米)DRAM 的长鑫存储,即使两年过去了,其良率仍在 75% 左右挣扎。据了解,其第二代 DRAM 的良率也在 40% 左右。剖析师说,长鑫存储的 DRAM 市场份额,到上一年年底还不到 1%,不会呈现大幅反弹。

据了解称,在 NAND 闪存方面,该组织估量我国与韩国的技能距离约为两年。我国存储半导体公司长江存储在 2021 年 8 月开端大规模出产第六代(128 层)3D NAND 闪存,三星和 SK 海力士自 2019 年以来一直在大规模出产该闪存。韩国公司方案从本年年底到下一年年头大规模出产超越 200 层的 NAND 闪存,但长江存储预计要到 2024 年才干做到。

然而,一个变数是,苹果目前正在考虑在 iPhone 中运用长江存储的 NAND 闪存。在这种情况下,预计长江存储将经过扩展出资大力追逐韩国芯片制造商。特别是,NAND 闪存范畴与 DRAM 职业不同,是一个成长中的职业,所以有很多变数。专家说,如果有五六家 NAND 闪存公司敏捷扩展产能,就会呈现价格竞争,这可能会使 NAND 闪存市场份额的排名发生变化。

此外该组织还称,韩国在代工技能方面抢先我国约 5 年。目前,韩国的三星电子和我国台湾的台积电正在大规模出产 4 至 5 纳米的芯片。另一方面,我国的中芯国际处于 14 纳米的水平,落后两到三代。

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