6 月 1 日音讯，据 BusinessKorea 报道，韩国进出口银行海外经济研究所（OERI）估量，韩国在 DRAM 技能方面比我国抢先 5 年，NAND 闪存方面抢先 2 年。
该研究组织在 5 月 30 日表示，本年我国的 DRAM 制造商长鑫存储正在推动第二代 10nm 级（1y 或 16 纳米至 17 纳米）DRAM 的大规模出产。另一方面，三星电子和 SK 海力士正方案在本年年底或下一年大规模出产第五代 10nm 级（1b 或 12 纳米至 13 纳米）DRAM。考虑到每一代的技能距离约为两年到两年半，两国的技能距离超越五年。
特别是，三星和 SK 海力士现已引入了用于超微制造工艺的极紫外光（EUV）设备，或正方案引入，但由于我国公司很难引入 EUV 设备，为此许多专家表示，我国要缩小与韩国的技能距离并不简单。
我国芯片制造商的良率也很低。OERI 剖析说，2019 年开端批量出产第一代 10nm 级（1x 或 18 纳米至 19 纳米）DRAM 的长鑫存储，即使两年过去了，其良率仍在 75% 左右挣扎。据了解，其第二代 DRAM 的良率也在 40% 左右。剖析师说，长鑫存储的 DRAM 市场份额，到上一年年底还不到 1%，不会呈现大幅反弹。
据了解称，在 NAND 闪存方面，该组织估量我国与韩国的技能距离约为两年。我国存储半导体公司长江存储在 2021 年 8 月开端大规模出产第六代（128 层）3D NAND 闪存，三星和 SK 海力士自 2019 年以来一直在大规模出产该闪存。韩国公司方案从本年年底到下一年年头大规模出产超越 200 层的 NAND 闪存，但长江存储预计要到 2024 年才干做到。
然而，一个变数是，苹果目前正在考虑在 iPhone 中运用长江存储的 NAND 闪存。在这种情况下，预计长江存储将经过扩展出资大力追逐韩国芯片制造商。特别是，NAND 闪存范畴与 DRAM 职业不同，是一个成长中的职业，所以有很多变数。专家说，如果有五六家 NAND 闪存公司敏捷扩展产能，就会呈现价格竞争，这可能会使 NAND 闪存市场份额的排名发生变化。
此外该组织还称，韩国在代工技能方面抢先我国约 5 年。目前，韩国的三星电子和我国台湾的台积电正在大规模出产 4 至 5 纳米的芯片。另一方面，我国的中芯国际处于 14 纳米的水平，落后两到三代。
